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Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 15 A 6MHz 180 W Through Hole TO-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | NTE Electronics, Inc | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-204AA, TO-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 7A, 15A | |
Frequência - Transição | 6MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100µA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 120 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 15 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 180 W | |
Outros nomes | 2368-MJ15015 |
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