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Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1.2 A - 625 mW Through Hole TO-92-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
Número do produto base | BC517 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30000 @ 20mA, 2V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 30 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 1.2 A | |
Tipo de transistor | NPN - Darlington | |
Potência - Máx. | 625 mW | |
Outros nomes | BC517_D74ZCT BC517_D74ZTB-ND BC517_D74Z BC517_D74ZTB BC517-D74ZCT BC517_D74ZCT-ND BC517_D74Z-ND BC517-D74ZTB |
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