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Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 4MHz 100 W Through Hole TO-220-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220-3 | |
Número do produto base | FJP13009 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5A, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 3A, 12A | |
Frequência - Transição | 4MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | - | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 400 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 12 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 100 W |
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