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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1 W Through Hole TP
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TP | |
Número do produto base | 2SD1816 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A | |
Frequência - Transição | 180MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 1µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 100 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 4 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 1 W | |
Outros nomes | ONSONS2SD1816T-H 2156-2SD1816T-H-ON |
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