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Bipolar (BJT) Transistor - 125 V 1 A 2MHz 20 W Stud Mount TO-111
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | - | |
Tipo de montagem | Stud Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-111 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-111-4, Stud | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 10V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 6V @ 100mA, 1A | |
Frequência - Transição | 2MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 125 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 1 A | |
Tipo de transistor | - | |
Potência - Máx. | 20 W | |
Outros nomes | GSIGSI2N2018 2156-2N2018 |
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