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Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 300 mA 100MHz 600 mW Through Hole TO-92
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | NEC Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 50mA, 1V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA | |
Frequência - Transição | 100MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 80 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 300 mA | |
Tipo de transistor | PNP | |
Potência - Máx. | 600 mW | |
Outros nomes | 2156-2SA954-A RENNEC2SA954-A |
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