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Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | |
Frequência - Transição | 300MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 50nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 150 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 600 mA | |
Tipo de transistor | PNP | |
Potência - Máx. | 625 mW | |
Outros nomes | 1514-2N5401TIN/LEAD 2N5401CS 2N5401CS-ND 2N5401_D26Z |
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