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RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount Micro-X ceramic (84C)
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - RF | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | Micro-X ceramic (84C) | |
Número do produto base | MRF581 | |
Series | - | |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz | |
Pacote / Estojo | Micro-X ceramic (84C) | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V | |
Frequência - Transição | 5GHz | |
Ganho | 13dB ~ 15.5dB | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 18V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 200mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 1.25W | |
Outros nomes | MRF581GMI MRF581GMI-ND MRF581G-ND 150-MRF581G |
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