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RF Transistor NPN 12V 60mA 8GHz 500mW Surface Mount 35 micro-X
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - RF | |
Fabricante | Broadcom Limited | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 35 micro-X | |
Series | - | |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz | |
Pacote / Estojo | 4-SMD (35 micro-X) | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 8V | |
Frequência - Transição | 8GHz | |
Ganho | 10dB ~ 18.5dB | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 12V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 60mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 500mW | |
Outros nomes | 516-1856 AT-41435G-ND |
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