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RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - RF | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PW-MINI | |
Número do produto base | MT3S111 | |
Series | - | |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz | |
Pacote / Estojo | TO-243AA | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V | |
Frequência - Transição | 8GHz | |
Ganho | 10.5dB | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 6V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 1W | |
Outros nomes | MT3S111P(TE12LF)DKR MT3S111P(TE12LF)TR MT3S111P(TE12LF) MT3S111P(TE12LF)CT |
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