Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
RN1961FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Número da pe?a NOVA:
299-2017437-RN1961FE(TE85L,F)
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RN1961FE(TE85L,F)
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
| Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polarizados | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | ES6 | |
| Número do produto base | RN1961 | |
| Series | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-563, SOT-666 | |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms | |
| Resistor - Base Emissora (R2) | 4.7kOhms | |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Frequência - Transição | 250MHz | |
| Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50V | |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA | |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Potência - Máx. | 100mW | |
| Outros nomes | RN1961FE(TE85LF)DKR RN1961FE(TE85LF)TR RN1961FE(TE85LF)CT RN1961FETE85LF |
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