RN1970(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Número da pe?a NOVA:
299-2013455-RN1970(TE85L,F)
Número da pe?a do fabricante:
RN1970(TE85L,F)
Embalagem padr?o:
3,000

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6

More Information
CategoriaTransistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polarizados
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor US6
Número do produto base RN1970
Series-
Pacote / Estojo6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistor - Base (R1)4.7kOhms
Resistor - Base Emissora (R2)-
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Frequência - Transição250MHz
Corrente - Corte do Coletor (Máx)100nA (ICBO)
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)50V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 100mA
Tipo de transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Potência - Máx. 200mW
Outros nomesRN1970(TE85LF)DKR
RN1970(TE85LF)CT
RN1970(TE85LF)TR

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