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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO
Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polarizados | |
Fabricante | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
Número do produto base | PBLS20 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms | |
Resistor - Base Emissora (R2) | 4.7kOhms | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A | |
Frequência - Transição | 100MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 1µA, 100nA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50V, 20V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA, 3A | |
Tipo de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP | |
Potência - Máx. | 1.5W | |
Outros nomes | 568-7229-6 NEXNXPPBLS2002S,115 PBLS2002S115 934060278115 PBLS2002S T/R 2156-PBLS2002S115 PBLS2002S,115-ND 568-7229-1 568-7229-2 PBLS2002S T/R-ND |
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