EMD9T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Número da pe?a NOVA:
299-2013454-EMD9T2R
Número da pe?a do fabricante:
EMD9T2R
Embalagem padr?o:
8,000
Ficha técnica:

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6

More Information
CategoriaTransistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polarizados
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor EMT6
Número do produto base EMD9T2
Series-
Pacote / EstojoSOT-563, SOT-666
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Base Emissora (R2)47kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Frequência - Transição250MHz
Corrente - Corte do Coletor (Máx)500nA
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)50V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 100mA
Tipo de transistor1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Potência - Máx. 150mW
Outros nomesEMD9T2RTR
EMD9T2RDKR
EMD9T2RCT
EMD9T2R-ND

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