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Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.8A - 1W Through Hole 16-PowerDIP
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 16-PowerDIP | |
Número do produto base | L6221 | |
Pacote / Estojo | - | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 1.8A | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | - | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 1.8A | |
Tipo de transistor | 4 NPN Darlington (Quad) | |
Potência - Máx. | 1W | |
Outros nomes | 497-1429-5-NDR 497-1429-5 E-L6221AS |
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