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Bipolar (BJT) Transistor Array 5 NPN 15V 100mA 450MHz 500mW Through Hole 16-PDIP
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 16-PDIP | |
Número do produto base | CA3083 | |
Pacote / Estojo | 16-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 3V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 5mA, 50mA | |
Frequência - Transição | 450MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10µA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 15V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100mA | |
Tipo de transistor | 5 NPN | |
Potência - Máx. | 500mW |
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