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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 2V 10mA 100MHz 500mW Through Hole 8-DIP
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | Linear Integrated Systems, Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DIP | |
Pacote / Estojo | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1500 @ 10µA, 1V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100µA, 1mA | |
Frequência - Transição | 100MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100pA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 2V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 10mA | |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) | |
Potência - Máx. | 500mW | |
Outros nomes | 3218-IT124PDIP8L |
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