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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 1.5A - 2.6W Through Hole 8-DIP
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | - | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DIP | |
Número do produto base | STD815 | |
Pacote / Estojo | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 16 @ 350mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 350mA | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 1mA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 400V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 1.5A | |
Tipo de transistor | NPN, PNP | |
Potência - Máx. | 2.6W | |
Outros nomes | 497-12242 -497-12242 |
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