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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 400V 3A - 3W Through Hole 8-DIP
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DIP | |
Número do produto base | STD830 | |
Pacote / Estojo | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 18 @ 700mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 1A | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100µA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 400V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 3A | |
Tipo de transistor | NPN, PNP | |
Potência - Máx. | 3W | |
Outros nomes | 497-12244 |
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