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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA - 600mW Through Hole TO-78-6
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-78-6 | |
Pacote / Estojo | TO-78-6 Metal Can | |
Series | Military, MIL-PRF-19500/495 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 30mA, 300mA | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 40V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 600mA | |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) | |
Potência - Máx. | 600mW |
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