JAN2N5793

NPN TRANSISTOR
Número da pe?a NOVA:
298-2011741-JAN2N5793
Número da pe?a do fabricante:
JAN2N5793
Embalagem padr?o:
1

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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA - 600mW Through Hole TO-78-6

More Information
CategoriaTransistores - Bipolar (BJT) - Matrizes
FabricanteMicrochip Technology
RoHS 1
Temperatura de operação -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-78-6
Pacote / EstojoTO-78-6 Metal Can
SeriesMilitary, MIL-PRF-19500/495
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 30mA, 300mA
Frequência - Transição-
Corrente - Corte do Coletor (Máx)10µA (ICBO)
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)40V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 600mA
Tipo de transistor2 NPN (Dual)
Potência - Máx. 600mW

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