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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA - 350mW Through Hole TO-78-6
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-78-6 | |
Pacote / Estojo | TO-78-6 Metal Can | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 60V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 50mA | |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) | |
Potência - Máx. | 350mW | |
Outros nomes | 2N3811-ND 150-2N3811 |
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