UNR411F00A

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Número da pe?a NOVA:
304-2066814-UNR411F00A
Número da pe?a do fabricante:
UNR411F00A
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW Through Hole NS-B1

More Information
CategoriaTransistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados
FabricantePanasonic Electronic Components
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor NS-B1
Número do produto base UNR411
Series-
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Resistor - Base Emissora (R2)10 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Frequência - Transição80 MHz
Pacote / Estojo3-SIP
Corrente - Corte do Coletor (Máx)500nA
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)50 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 100 mA
Tipo de transistorPNP - Pre-Biased
Potência - Máx. 300 mW
Outros nomesUN411F-(TA)
UNR411F00ATB
UNR411F00ACT
UNR411F00ATB-NDR
UNR411F00ACT-NDR

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