IGBT PT 600 V 183 A 780 W Through Hole
カテゴリ | トランジスタ - IGBT - 単体 | |
製造元 | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
入力方式 | Standard | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 600 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 183 A | |
シリーズ | POWER MOS 8™ | |
IGBTの種類 | PT | |
電流 - コレクタパルス (Icm) | 307 A | |
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic | 2.5V @ 15V, 62A | |
スイッチングエネルギー | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) | |
ゲートチャージ | 294 nC | |
Td (オン/オフ) @ 25°C | 28ns/212ns | |
パッケージ・ケース | TO-247-3 Variant | |
パワー - 最大 | 780 W | |
試験条件 | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V |
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