EPC2012

GANFET N-CH 200V 3A DIE
NOVA部品番号:
312-2314083-EPC2012
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2012
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

N-Channel 200 V 3A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元EPC
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
シリーズeGaN®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 3A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 1.8 nC @ 5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースDie
Vgs (最大)+6V, -5V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 145 pF @ 100 V
消費電力(最大) -
その他の名前917-1017-1
917-1017-6
-917-1017-1
917-1017-2
-917-1017-2

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