アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
IRF200S234
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2288853-IRF200S234
製造メーカー部品番号:
IRF200S234
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 200 V 90A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IRF200 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 16.9mOhm @ 51A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 162 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6484 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 417W (Tc) | |
| その他の名前 | IRF200S234DKR SP001593688 IRF200S234TR IRF200S234CT IRF200S234-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
STB80N20M5STMicroelectronics- IXTA90N20X3IXYS
- IPB110N20N3LFATMA1Infineon Technologies
CD4093BPWRTexas Instruments
DMN6140L-13Diodes Incorporated
TC4420EOA713Microchip Technology
OP4177ARUZ-REELAnalog Devices Inc.
SI1013R-T1-GE3Vishay Siliconix
PMBT2222A,215Nexperia USA Inc.
