アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
SISS80DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
NOVA部品番号:
312-2288152-SISS80DN-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SISS80DN-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S | |
| 基本製品番号 | SISS80 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 58.3A (Ta), 210A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 0.92mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 1212-8S | |
| Vgs (最大) | +12V, -8V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6450 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 5W (Ta), 65W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SISS80DN-T1-GE3TR 742-SISS80DN-T1-GE3CT 742-SISS80DN-T1-GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SISA40DN-T1-GE3Vishay Siliconix
