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DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
NOVA部品番号:
312-2282012-DMN1019USN-7
製造メーカー部品番号:
DMN1019USN-7
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SC-59-3 | |
| 基本製品番号 | DMN1019 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.3A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.2V, 2.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 800mV @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2426 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 680mW (Ta) | |
| その他の名前 | DMN1019USN-7DICT DMN1019USN-7DIDKR DMN1019USN-7DITR |
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