アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
PSMN1R8-40YLC,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
NOVA部品番号:
312-2282859-PSMN1R8-40YLC,115
製造メーカー部品番号:
PSMN1R8-40YLC,115
ひょうじゅんほうそう:
1,500
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 40 V 100A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | LFPAK56, Power-SO8 | |
| 基本製品番号 | PSMN1R8 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.95V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6680 pF @ 20 V | |
| 消費電力(最大) | 272W (Tc) | |
| その他の名前 | 934066914115 568-10156-6-ND 568-10156-1 PSMN1R840YLC115 568-10156-1-ND 1727-1052-6 568-10156-2 1727-1052-1 1727-1052-2 568-10156-2-ND PSMN1R8-40YLC,115-ND 568-10156-6 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
PSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.
TLE7250GVIOXUMA2Infineon Technologies
PSMN075-100MSEXNexperia USA Inc.
USB3340-EZKMicrochip Technology- PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.
USB2514BT-I/M2Microchip Technology
AT24CM02-SSHM-TMicrochip Technology
BTS6163DAUMA1Infineon Technologies
NVTFS5116PLTAGonsemi
L6470HTRSTMicroelectronics
