N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
基本製品番号 | MSC080 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 37A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 1mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 64 nC @ 20 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
Vgs (最大) | +23V, -10V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 838 pF @ 1000 V | |
消費電力(最大) | 200W (Tc) |
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