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BUK9E4R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
NOVA部品番号:
312-2344887-BUK9E4R4-80E,127
製造元:
製造メーカー部品番号:
BUK9E4R4-80E,127
ひょうじゅんほうそう:
50
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N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | I2PAK | |
| 基本製品番号 | BUK9 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.1V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 123 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (最大) | ±10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 17130 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 349W (Tc) | |
| その他の名前 | 2156-BUK9E4R4-80E127-NX NEXNXPBUK9E4R4-80E,127 568-9875-5 934066515127 BUK9E4R480E127 |
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