アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
PHD63NQ03LT,118
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
NOVA部品番号:
312-2343308-PHD63NQ03LT,118
製造元:
製造メーカー部品番号:
PHD63NQ03LT,118
ひょうじゅんほうそう:
10,000
技術データシート:
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N-Channel 30 V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK | |
| 基本製品番号 | PHD63 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 68.9A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 13mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9.6 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 920 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 111W (Tc) | |
| その他の名前 | 934057020118 PHD63NQ03LT/T3 PHD63NQ03LT/T3-ND |
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