RFD12N06RLESM9A

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MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA

NOVA部品番号:

312-2285562-RFD12N06RLESM9A

製造元:

製造メーカー部品番号:

RFD12N06RLESM9A

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-252AA
基本製品番号	RFD12N06
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	UltraFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	18A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	63mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	15 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±16V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	485 pF @ 25 V
消費電力(最大)	49W (Tc)
その他の名前	RFD12N06RLESM9A-ND RFD12N06RLESM9ACT RFD12N06RLESM9ATR RFD12N06RLESM9ADKR