IPD65R400CEAUMA1

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MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3

NOVA部品番号:

312-2287872-IPD65R400CEAUMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPD65R400CEAUMA1

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	IPD65R400
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15.1A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 320µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	39 nC @ 10 V
FETの特徴	Super Junction
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	710 pF @ 100 V
消費電力(最大)	118W (Tc)
その他の名前	IPD65R400CEAUMA1CT IPD65R400CEAUMA1-ND IPD65R400CEAUMA1TR IPD65R400CEAUMA1DKR SP001466800