SISH101DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK

NOVA部品番号:

312-2285649-SISH101DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SISH101DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 30 V 16.9A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8SH
基本製品番号	SISH101
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	16.9A (Ta), 35A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	102 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8SH
Vgs (最大)	±25V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3595 pF @ 15 V
消費電力(最大)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
その他の名前	SISH101DN-T1-GE3CT SISH101DN-T1-GE3TR SISH101DN-T1-GE3DKR