FDC658AP

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
NOVA部品番号:
312-2284844-FDC658AP
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDC658AP
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:

P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元onsemi
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
基本製品番号 FDC658
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 4A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (最大)±25V
FETタイプP-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 470 pF @ 15 V
消費電力(最大) 1.6W (Ta)
その他の名前FDC658APCT
FDC658APTR
2156-FDC658AP-OS
FDC658APDKR

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