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IXTN210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
NOVA部品番号:
312-2276625-IXTN210P10T
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTN210P10T
ひょうじゅんほうそう:
10
技術データシート:
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P-Channel 100 V 210A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| 基本製品番号 | IXTN210 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchP™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 210A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 7.5mOhm @ 105A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 740 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (最大) | ±15V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 69500 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 830W (Tc) |
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