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SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
NOVA部品番号:
312-2361471-SISS76LDN-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SISS76LDN-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
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N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8SH | |
| 基本製品番号 | SISS76 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.25mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.6V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 33.5 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 1212-8SH | |
| Vgs (最大) | ±12V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 70 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2780 pF @ 35 V | |
| 消費電力(最大) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SISS76LDN-T1-GE3DKR 742-SISS76LDN-T1-GE3CT 742-SISS76LDN-T1-GE3TR |
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