IPB033N10N5LFATMA1

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MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

NOVA部品番号:

312-2283555-IPB033N10N5LFATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPB033N10N5LFATMA1

ひょうじゅんほうそう:

1,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 100 V 120A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-3
基本製品番号	IPB033
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™-5
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	120A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4.1V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	102 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	460 pF @ 50 V
消費電力(最大)	179W (Tc)
その他の名前	IPB033N10N5LFATMA1-ND SP001503858 2156-IPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1CT INFINFIPB033N10N5LFATMA1 IPB033N10N5LFATMA1DKR IPB033N10N5LFATMA1TR

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