SI2369BDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

NOVA部品番号:

312-2284871-SI2369BDS-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI2369BDS-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
基本製品番号	SI2369
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	27mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	19.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (最大)	+16V, -20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	745 pF @ 15 V
消費電力(最大)	1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
その他の名前	742-SI2369BDS-T1-GE3DKR 742-SI2369BDS-T1-GE3TR 742-SI2369BDS-T1-GE3CT