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XPH6R30ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
NOVA部品番号:
312-2273133-XPH6R30ANB,L1XHQ
製造メーカー部品番号:
XPH6R30ANB,L1XHQ
ひょうじゅんほうそう:
5,000
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N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOP Advance (5x5) | |
| 基本製品番号 | XPH6R30 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVIII-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 45A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.197", 5.00mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3240 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 960mW (Ta), 132W (Tc) | |
| その他の名前 | 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR 264-XPH6R30ANBL1XHQCT 264-XPH6R30ANBL1XHQTR XPH6R30ANB,L1XHQ(O |
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