N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
基本製品番号 | LND150 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30mA (Tj) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
FETの特徴 | Depletion Mode | |
パッケージ・ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
Vgs (最大) | ±20V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 500 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 740mW (Ta) | |
その他の名前 | LND150N3-G-P003CT LND150N3-G-P003-ND LND150N3-G-P003TR LND150N3-G-P003DKR-ND LND150N3-G-P003DKRINACTIVE LND150N3-G-P003DKR |
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