N-Channel 300 V 59A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3PN | |
基本製品番号 | FDA59 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | UniFET™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 59A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 56mOhm @ 29.5A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
Vgs (最大) | ±30V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 300 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4670 pF @ 25 V | |
消費電力(最大) | 500W (Tc) | |
その他の名前 | 2156-FDA59N30-OS FAIFSCFDA59N30 |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。