IPD80R280P7ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 800V 17A TO252

NOVA部品番号:

312-2280503-IPD80R280P7ATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPD80R280P7ATMA1

ひょうじゅんほうそう:

2,500

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	IPD80R280
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	CoolMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	17A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 360µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	36 nC @ 10 V
FETの特徴	Super Junction
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	800 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1200 pF @ 500 V
消費電力(最大)	101W (Tc)
その他の名前	IPD80R280P7ATMA1TR INFINFIPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1CT IPD80R280P7ATMA1DKR SP001422596 2156-IPD80R280P7ATMA1