FDB3632

MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2283285-FDB3632
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDB3632
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

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カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元onsemi
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
基本製品番号 FDB363
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズPowerTrench®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 110 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)±20V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 6000 pF @ 25 V
消費電力(最大) 310W (Tc)
その他の名前FDB3632DKR
FDB3632TR
FDB3632CT

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