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NVTFS5124PLTWG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
NOVA部品番号:
312-2290234-NVTFS5124PLTWG
製造元:
製造メーカー部品番号:
NVTFS5124PLTWG
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
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P-Channel 60 V 2.4A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| 基本製品番号 | NVTFS5124 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 260mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 250 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3W (Ta), 18W (Tc) | |
| その他の名前 | NVTFS5124PLTWG-ND NVTFS5124PLTWGOSDKR NVTFS5124PLTWGOSTR NVTFS5124PLTWGOSCT |
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