N-Channel 1200 V 33A (Tc) 290W (Tc) Through Hole HiP247™
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | HiP247™ | |
基本製品番号 | SCTW40 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 105mOhm @ 20A, 18V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 1mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 63 nC @ 18 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
Vgs (最大) | +22V, -10V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1230 pF @ 800 V | |
消費電力(最大) | 290W (Tc) | |
その他の名前 | 497-SCTW40N120G2VAG |
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