アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
NOVA部品番号:
312-2283330-FDMS4D0N12C
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDMS4D0N12C
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| 基本製品番号 | FDMS4 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 114A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4mOhm @ 67A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 370A | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 120 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6460 pF @ 60 V | |
| 消費電力(最大) | 2.7W (Ta), 106W (Tc) | |
| その他の名前 | FDMS4D0N12COSDKR FDMS4D0N12C-ND FDMS4D0N12COSTR FDMS4D0N12COSCT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
Z4DGP410L-HFComchip Technology
BSC190N15NS3GATMA1Infineon Technologies- BSC077N12NS3GATMA1Infineon Technologies
FDMS86202ET120onsemi
ES1JFLonsemi
BSS139H6906XTSA1Infineon Technologies- FDMS86202onsemi
NTMFS006N12MCT1Gonsemi
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
NVBGS4D1N15MConsemi
SZMM3Z6V2ST1Gonsemi
