N-Channel 55 V 50W (Tj) Through Hole
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Honeywell Aerospace | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | - | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | - | |
基本製品番号 | HTNFET | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | HTMOS™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | - | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.4V @ 100µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 8-CDIP Exposed Pad | |
Vgs (最大) | 10V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 55 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 290 pF @ 28 V | |
消費電力(最大) | 50W (Tj) |
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