SI7613DN-T1-GE3

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MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

NOVA部品番号:

312-2287709-SI7613DN-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7613DN-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8
基本製品番号	SI7613
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	35A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	87 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8
Vgs (最大)	±16V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2620 pF @ 10 V
消費電力(最大)	3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
その他の名前	SI7613DN-T1-GE3TR SI7613DNT1GE3 SI7613DN-T1-GE3DKR SI7613DN-T1-GE3CT