P-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 4-Microfoot | |
基本製品番号 | SI8487 | |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | TrenchFET® | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 31mOhm @ 2A, 10V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.2V @ 250µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 4-UFBGA | |
Vgs (最大) | ±12V | |
FETタイプ | P-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2240 pF @ 15 V | |
消費電力(最大) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | |
その他の名前 | SI8487DB-T1-E1CT SI8487DB-T1-E1TR SI8487DBT1E1 SI8487DB-T1-E1DKR |
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